特許
J-GLOBAL ID：200903079126646640
窒化珪素質焼結体とその製造方法、それを用いた回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133142
公開番号（公開出願番号）：特開平11-322437
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月24日
要約：
【要約】【課題】高熱伝導率で、回路基板に好適な窒化珪素質焼結体を安価に提供する。【解決手段】窒化珪素90〜99mol%、イットリウム(Y)及びランタノイド族元素の1種以上を酸化物換算で1〜10mol%、更に、Hf、Ti、Zrから選ばれる1種以上を酸化物換算で0〜4mol%含有し、4μmの波長の光に対する吸収係数が100cm-1以下の窒化珪素質焼結体とそれを用いた回路基板。及び、SiO2/(Re2O3+SiO2)のモル比が0.05〜0.5となるように組成を調整し、1MPa以下の窒素雰囲気中1800〜2000°Cで焼成する前記焼結体の製造方法。
請求項（抜粋）：
窒化珪素(Si3N4)90〜99mol%、イットリウム(Y)及びランタノイド族元素の1種以上を酸化物(Re2O3)換算で1〜10mol%、更に、Hf、Ti、Zrから選ばれる1種以上を酸化物(MO2)換算で0〜4mol%含有し、4μmの波長の光に対する吸収係数が100cm-1以下であることを特徴とする窒化珪素質焼結体。
IPC (3件)：
C04B 35/584
, C04B 37/02
, H05K 1/03 610
C04B 35/58 102 K
, C04B 37/02 B
, H05K 1/03 610 E
