特許
J-GLOBAL ID：200903079139488700
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-128373
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324894
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体キャパシタを有する半導体装置を、前記強誘電体キャパシタの電気特性を劣化させることなく微細化し、また多層配線構造を設ける。【解決手段】 強誘電体膜上に形成される上部電極を第1の導電性酸化膜と第2の導電性酸化膜とにより構成し、前記第2の導電性酸化膜を前記第1の導電性酸化膜よりもより化学量論組成に近い組成に形成する。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された強誘電体キャパシタとよりなる半導体装置において、前記強誘電体キャパシタは、下部電極と、前記下部電極上に形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された上部電極とよりなり、前記上部電極は、化学量論組成が組成パラメータx1を使って化学式AOx1で表され実際の組成が組成パラメータx2を使って化学式AOx2で表される酸化物よりなる第1の層と、前記第1の層上に形成され、化学量論組成が組成パラメータy1を使って化学式BOy1で表され実際の組成が組成パラメータy2を使って化学式BOy2で表される酸化物よりなる第2の層とよりなり、前記組成パラメータx1,x2,y1およびy2の間には、関係y2/y1>x2/x1が成立することを特徴とする半導体装置。
Fターム (19件)：
5F083AD10
, 5F083AD51
, 5F083FR02
, 5F083GA11
, 5F083GA25
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA35
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA43
, 5F083JA45
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083PR22
, 5F083PR33
, 5F083PR38
, 5F083PR40
