特許

J-GLOBAL ID：200903079144732708

処理方法

発明者： 村上 政明 ,  西岡 賢一
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン九州株式会社
代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-084064
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273015
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 処理液を有効に利用してスループットの向上を図れるようにした処理方法を提供する。【構成】 現像液供給管26とリンス液供給管27とを合流管24を介して供給ノズル22に接続する。そして、回路パターンが転写された半導体ウエハW表面にリンス液Rを供給した後、現像液Dを供給し、現像液Dの供給終了前に現像液Dとリンス液Rとを混合して半導体ウエハWに供給する。現像液Dとリンス液Rの混合液の供給後、半導体ウエハWにリンス液Rを供給する。これにより、半導体ウエハW表面にリンス液Rの液膜を形成して現像液Dの広がりを容易にすることができる。また、現像液Dの消費量を少なくすることができる。

請求項（抜粋）：

回路パターンが転写された被処理体に処理液を供給して処理を施す処理方法において、上記被処理体に洗浄液を供給する前処理工程と、上記洗浄液の供給後、上記被処理体に処理液を供給する処理工程と、上記処理液の供給終了前に処理液と洗浄液とを混合して上記被処理体に供給する第1の後処理工程と、上記処理液と洗浄液の混合液の供給後、上記被処理体に洗浄液を供給する第2の後処理工程と、を有することを特徴とする処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 351

FI (2件)：

H01L 21/30 569 C ,  H01L 21/30 561

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭61-279858
  
• 特開昭56-039540
  
• 特開昭57-136646
  
• 特開平4-022467
  
• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-289249   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 液体供給ノズル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-009078   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社