特許

J-GLOBAL ID：200903079175742116

レジスト組成物、および基板上にパタ-ン形成したレジスト層を形成する方法

発明者： チンファ・リン ,  ティモシー・エム・ヒューズ ,  ジョージ・エム・ジョルダモ ,  アーマド・ディー・カトナーニー ,  ウェイン・エム・モロー ,  ニランジャン・パテル
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-013834
公開番号（公開出願番号）：特開2000-221686
出願日： 2000年01月24日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 解像度が高く、耐エッチング性が強化された、放射感受性レジスト組成物、およびパターン形成されたレジスト皮膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 レジスト組成物は、シリコンを含有する重合体添加剤と、シリコンを含有しない基本重合体と、光酸発生剤と、溶媒とを含む。この組成物は、シリコン含有量が高い上面領域を有するレジスト皮膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

(a)シリコンを含有する重合体添加剤と、(b)シリコンを含有しない基本重合体と、(c)光酸発生剤と、(d)溶媒とを含み、(a)または(b)の少なくとも一方が酸に感受性を有する保護基を含有し、(a)および(b)の両方が露光処理後に塩基水溶液に可溶であることを特徴とする、放射感受性レジスト組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/075 511 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/075 511 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 放射線感応性樹脂組成物およびそれを用いたレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-124937   出願人：沖電気工業株式会社