特許

J-GLOBAL ID：200903079179477590

SiC発光ダイオードの電極形成方法

発明者： 國里 竜也 ,  上田 康博 ,  古賀 和幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227256
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067808
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 p形SiCに形成されるp形オーミック電極の構造が簡単であり、且つこの電極を構成するAlの蒸発やボールアップ等の形状変化を防止できるSiC発光ダイオードの電極の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 n形SiC基板1上に発光層としてn形エピタキシャルSiC層2とp形エピタキシャルSiC層3をこの順に形成する。p形エピタキシャルSiC層3上にp形電極としてAl層を真空蒸着法等により形成した後、不活性ガス中において800°C以上で熱処理を行うことにより、p形オーミック電極20を形成する。

請求項（抜粋）：

p形SiC表面にAl層を形成した後、不活性ガス中で熱処理を施すことにより、p形オーミック電極を形成することを特徴とするSiC発光ダイオードの電極形成方法。