特許
J-GLOBAL ID:200903079181842319

蒸着装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 石島 茂男 ,  阿部 英樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-014352
公開番号(公開出願番号):特開2004-225107
出願日: 2003年01月23日
公開日(公表日): 2004年08月12日
要約:
【課題】膜質の良い薄膜を成膜可能な蒸着装置を提供する。【解決手段】本発明の蒸着装置1は磁石51と、蒸着源3とを有しており、磁石51の第一の磁極56は、蒸着源3の放出部30から荷電粒子が放出される一の軸線方向に向けられている。第二の磁極57の近傍にはヨーク55の一部が配置されており、該ヨーク55の終端部はアノード電極32の近傍まで伸ばされている。磁力線5はヨーク51内で収束されて終端部58から真空槽2の内部空間に出るので、放出口39を通る磁力線5の密度が高く、放出口39から放出される荷電粒子はこの磁力線5によって効率良く第一の電極56側へ運ばれる。従って、第一の電極56の近傍位置に基板7を配置しておけば、荷電粒子を効率良く基板7に到達させることができるので、膜質の良い薄膜を成膜することができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
真空槽と、前記真空槽内に配置された蒸着源とを有し、 前記蒸着源は筒状のアノード電極と、前記アノード電極内に配置され、一の軸線方向に蒸着材料の荷電粒子を放出する放出部と、 前記アノード電極の開口であって、前記荷電粒子が前記真空槽内に放出される放出口とを有する蒸着装置であって、 前記アノード電極の内壁面を放出口方向に延長した場合の延長線が囲む領域の外側に位置し、第一の磁極が前記一の軸線方向に向けられた磁石と、 少なくとも一部が前記磁石の第二の磁極に向けられ、終端部が前記アノード電極の近傍に配置されたヨークとを有し、 前記磁石によって、前記放出口と前記第一の磁極とを結ぶ経路と、前記ヨーク内部の経路の両方を通る磁力線が形成されるように構成された蒸着装置。
IPC (1件):
C23C14/32
FI (1件):
C23C14/32 Z
Fターム (4件):
4K029BA03 ,  4K029BA08 ,  4K029CA03 ,  4K029DD06
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 蒸着装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-126381   出願人:株式会社アルバック

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