特許
J-GLOBAL ID:200903079188494804

処理システム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐々木 聖孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-307467
公開番号(公開出願番号):特開平7-137803
出願日: 1993年11月12日
公開日(公表日): 1995年05月30日
要約:
【要約】[目的]枚葉式処理部とバッチ式処理部とをインライン化して一貫した連続処理を可能とし、スループットの向上とプロセス安定性の向上を実現する。[構成]この層間絶縁膜形成システムは、被処理基板である半導体ウエハWをウエハカセットCRで複数枚単位でシステムに搬入しまたはシステムから搬出するためのカセットステーション10と、1枚ずつ半導体ウエハW上にSOGを塗布する枚葉式の塗布処理部12と、この塗布処理部12で塗布処理の済んだ半導体ウエハWをウエハボートBTに多数枚たとえば50枚(1ロット)装填した状態で各半導体ウエハW上のSOG膜を同時にアニールしてキュアするバッチ式の縦型熱処理部14と、該枚葉式の塗布処理部12と該バッチ式の熱処理部14との間で半導体ウエハWをやりとりするためのインタフェース部16とをインラインで一列に接続した構成を有している。
請求項(抜粋):
1枚ずつ被処理基板に第1の処理を施す枚葉式処理部と、前記枚葉式処理部で前記第1の処理の済んだ前記被処理基板をボートに多数枚収容した状態で各被処理基板に第2の処理を施すバッチ式処理部と、前記枚葉式処理部との間で前記被処理基板を受渡しするための被処理基板受渡し手段、前記バッチ式処理部との間で前記ボートを受渡しするためのボート受渡し手段および前記被処理基板受渡し手段と前記ボートとの間で前記被処理基板を1枚ずつ移送するための被処理基板移送手段を備えるインタフェース部と、を有する処理システム。
IPC (4件):
B65G 1/00 543 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/68
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭61-166038
  • 特開平3-211749
  • 特開平4-030553
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