特許
J-GLOBAL ID：200903079223233229

不揮発性メモリおよびその駆動方法

発明者：
香取 健二

香取 健二 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-305518
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127263
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 記録の消去、書き込みおよび読み出しが可能で、かつメモリセルの構造を単純化するとともに、高密度情報記録を可能とする。【解決手段】 室温下において「高温相」および「低温相」の2つの安定した相を有する相変化薄膜4と、この相変化薄膜4に直列に接続された、p+ 型領域9およびn+ 型領域8からなるnp接合とからメモリセルを構成する。上部電極6aおよび下部電極7aに所定の電圧を印加してメモリセルMC11中に電流を流し、相変化薄膜4の相を変化させることにより、データを書き込む。メモリセルMC11中に電流を流して相変化薄膜4の相の状態を読み取ることにより、データを読み出す。
請求項（抜粋）：
室温下において少なくとも2つ以上の安定した相を有する相変化薄膜と、上記相変化薄膜に直列に接続されたスイッチ素子とからなるメモリセルを有することを特徴とする不揮発性メモリ。
IPC (2件)：
H01L 27/10 451 ,  G11C 16/04
FI (2件)：
H01L 27/10 451 ,  G11C 17/00 625
Fターム (10件)：
5B025AA07 ,  5B025AC02 ,  5B025AE08 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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