特許
J-GLOBAL ID：200903079225231240

半導体装置の製造方法

発明者：
鈴木 三惠子

鈴木 三惠子 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028893
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223737
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：
【要約】【目的】 絶対段差の解消された極めて平坦な層間絶縁膜を形成する。【構成】 半導体基板1上にシリコン酸化膜2を介してアルミニウム配線3を形成した〔図1(a)〕後、例えばECR(Electron Cyclotron Resonance)型CVD法により、研磨レートの低い第1のシリコン酸化膜4を形成し、その上に研磨レートの高い第2のシリコン酸化膜5を形成し、その上に研磨レートの低い第3のシリコン酸化膜6を形成する〔図1(b)〕。研磨レートの差は、反応ガスO2 /SiH4 の流量比を変えることによって生じさせる。CMP(化学機械研磨)法により研磨を行って〔図1(c)〕表面が平坦な層間絶縁膜を得る〔図1(d)〕。
請求項（抜粋）：
(1)能動素子を有する半導体基板上に絶縁膜を介して金属配線を形成する工程と、(2)金属配線を有する前記絶縁膜上に第1のシリコン酸化膜を堆積する工程と、(3)前記第1のシリコン酸化膜上に第1のシリコン酸化膜より研磨速度の高い第2のシリコン酸化膜を堆積する工程と、(4)前記第2のシリコン酸化膜上に第2のシリコン酸化膜より研磨速度の低い第3のシリコン酸化膜を堆積する工程と、(5)第3、第2および第1のシリコン酸化膜を化学的機械研磨(CMP)法により研磨して表面が平坦化された層間絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31
FI (5件)：
H01L 21/90 M ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/306 Q ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/95
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM