特許
J-GLOBAL ID：200903082772845911
絶縁膜の構造とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-099991
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310504
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 絶縁膜に溝を形成して配線膜を埋め込んだり、配線を形成した後平坦化するために絶縁膜をエッチバックする際、エッチングばらつきを抑制し、製造マージンを広くとれるようにする。【構成】 常圧CVDの流量比を変えて組成が同一で密度が異なる絶縁膜を形成する。基板1上にSiH4 とO2 を原料ガスとして常圧CVDによって二酸化珪素膜を堆積する。まずO2 とSiH4 の流量比(O2 /SiH4 )を10として屈折率1.42の二酸化珪素膜2を堆積する。次に流量比を0.3にして屈折率1.45の二酸化珪素膜3を堆積する。その後流量比を元に戻して屈折率1.42の二酸化珪素膜4を堆積する。屈折率は膜の密度と相関があり、屈折率が高いと密度も高い。その後レジスト10をマスクにドライエッチングして溝を形成するが、二酸化珪素膜3のエッチレートは二酸化珪素膜2、4の60%なので、この膜でエッチング深さのばらつきが緩和できる。
請求項（抜粋）：
組成が同一であって密度が異なる絶縁膜が少なくとも二層積層されたことを特徴とする絶縁膜の構造。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/316
, H01L 21/90
