特許
J-GLOBAL ID：200903079247055437

反射型液晶表示素子およびその製造方法、ならびに液晶表示装置

発明者：
橋本 俊一

橋本 俊一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-319402
公開番号（公開出願番号）：特開2005-084586
出願日： 2003年09月11日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：
【課題】 画素間溝の側面部分の構造的な非対称性に起因して発生する、長期駆動時の焼き付き現象を抑制し、長期の駆動信頼性を実現する。【解決手段】 第1斜方蒸着配向膜43Aが、画素電極基板40の厚み方向の断面内において、画素間溝の第1の側面に蒸着形成され、第1の側面に対向する第2の側面に第2斜方蒸着配向膜43Bが蒸着形成されている。これにより、断面内における画素間溝50の両側面の膜構造が対称的になり、画素間溝の側面部分の構造的な非対称性に起因して発生する、長期駆動時の焼き付き現象が抑制される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
画素電極基板と透明電極基板とが垂直配向液晶を介して互いに対向配置された反射型液晶表示素子であって、 前記画素電極基板は、 複数の反射型の画素電極と、 前記画素電極の形成後に、前記画素電極基板の基板面に対して第1の斜方蒸着方向から蒸着形成された第1の斜方蒸着配向膜と、 前記第1の斜方蒸着配向膜の形成後に、前記画素電極基板の基板面に対して第2の斜方蒸着方向から蒸着形成された第2の斜方蒸着配向膜と を有し、 前記第1の斜方蒸着配向膜は、 前記画素電極の上面全体に蒸着形成されると共に、基板の厚み方向の断面内において、隣接する前記画素電極間の溝部の第1の側面に蒸着形成され、 前記第2の斜方蒸着配向膜は、 前記第1の斜方蒸着配向膜を介して前記画素電極の上面全体に蒸着形成されると共に、基板の厚み方向の断面内において、隣接する前記画素電極間の溝部の前記第1の側面に対向する第2の側面に蒸着形成されている ことを特徴とする反射型液晶表示素子。
IPC (2件)：
G02F1/1337 ,  G02F1/13
FI (3件)：
G02F1/1337 505 ,  G02F1/1337 515 ,  G02F1/13 505
Fターム (25件)：
2H088EA14 ,  2H088EA16 ,  2H088HA01 ,  2H088HA02 ,  2H088HA03 ,  2H088HA08 ,  2H088HA21 ,  2H088HA24 ,  2H088HA28 ,  2H088JA10 ,  2H088KA27 ,  2H088LA03 ,  2H088MA20 ,  2H090HA11 ,  2H090HB03Y ,  2H090HC01 ,  2H090HD14 ,  2H090KA04 ,  2H090LA01 ,  2H090LA12 ,  2H090LA16 ,  2H090LA20 ,  2H090MA01 ,  2H090MA13 ,  2H090MB06
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (10件)
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