特許

J-GLOBAL ID：200903079283901816

モジュール型半導体装置

発明者： 井上 広一 ,  齋藤 隆一 ,  森 睦宏 ,  栗原 保敏 ,  大貫 仁 ,  木村 新 ,  嶋田 智 ,  鈴木 和弘 ,  紙田 行雄 ,  小林 勇雄 ,  山田 一二 ,  門馬 直弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立カーエンジニアリング
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-004669
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195471
出願日： 1995年01月17日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】シリーズ展開が可能な、絶縁ゲート型トランジスタ,ダイオード等のパワー半導体素子を搭載したモジュール型半導体装置を提供すること。【構成】基板上に複数のパワー半導体素子と,配線用の金属箔とを非対称に配置してユニットを形成し、このユニットを放熱用の金属基板上に複数同一方向に配置し、各ユニット上にこれらのユニットを電気的に接続するための電極端子足を同一間隔で配置し、これらの電極端子足を連結端子足で連結したモジュール型半導体装置。【効果】パワー半導体素子を搭載した、大電力制御に適した高信頼性のモジュール型半導体装置を実現することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に複数のパワー半導体素子と,配線用の金属箔とを非対称に配置してユニットを形成し、このユニットを放熱用の金属基板上に複数同一方向に配置し、各ユニット上にこれらのユニットを電気的に接続するための電極端子足を同一間隔で配置し、これらの電極端子足を連結端子足で連結したことを特徴とするモジュール型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/522 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/34

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特開平3-097257
  
• 特開平3-292764
  
• 特開昭61-185954
  
• 特開平4-350957
  
• セラミツクス回路基板の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-191184   出願人：電気化学工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開平3-097257
  
• 特開平3-292764
  
• 特開昭61-185954
  
• 特開平4-350957