半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-043679
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013334
出願日： 1993年03月04日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 III-V族化合物半導体層をMOVPE(有機金属気相成長法)で結晶成長する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、Mgをp型ドーパントとして用い、かつドーピング遅れを低減した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 III-V族化合物半導体層をMOVPEで結晶成長する工程を含む半導体装置の製造方法であって、p型III-V族化合物半導体層のMOVPE結晶成長において、p型不純物としてMgの有機金属化合物とAlの有機金属化合物との混合ガスを用い、成長初期の界面近傍でIII族元素としてAlを約0.02以上約0.1以下含むMgドープのp型層を成長する工程を含む。

請求項（抜粋）：

p型III-V族化合物半導体層のMOVPE結晶成長において、p型不純物としてMgの有機金属化合物とAlの有機金属化合物との混合ガスを用い、成長初期の界面近傍でIII族元素としてAlを約0.02以上約0.1以下含むMgドープのp型層を成長する工程を含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

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公報種別：公開公報出願番号：特願平4-240878 出願人：株式会社クボタ

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