特許
J-GLOBAL ID：200903079289616366
EL表示装置のレーザーリペア方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
須藤 克彦
, 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-012381
公開番号（公開出願番号）：特開2004-227852
出願日： 2003年01月21日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】ピンホールによるダークスポットの発生を招くことなく、ショート不良箇所をリペアする。【解決手段】異物100の周辺領域に照射領域111を設定してレーザー照射を行う。異物100が付着した有機EL素子60にダメージが加わり、ピンホールが発生することが防止される。また、異物100から離れた周辺領域にレーザー照射すれば、そのエネルギーは照射領域111を中心に同心円状に伝達され、間接的に異物100にも供給される。したがって、アノード層61とカソード層65との間に高抵抗領域を形成することが可能となり、異物100によるショート不良箇所をリペアすることができる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
複数の画素を備え、各画素毎に、アノード層とカソード層の間にEL層が介在されて成るEL素子を有するEL表示装置のレーザーリペア方法において、前記EL素子上に付着した異物を検出し、この異物の周辺領域にレーザー照射を行うことにより、前記異物が付着した画素のアノード層とカソード層との間に高抵抗領域を形成することを特徴とするEL表示装置のレーザーリペア方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
3K007AB11
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
