特許
J-GLOBAL ID：200903021079428860

発光装置の作製方法および薄膜形成装置

発明者：
山形 裕和

山形 裕和 について

, 
足立 祥美

足立 祥美 について

, 
柴田 典子

柴田 典子 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-388187
公開番号（公開出願番号）：特開2002-260857
出願日： 2001年12月20日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 発光素子の欠陥部におけるショートを検査して修理することにより、良質な画像表示を行うことができる発光装置の作製方法を提供する。【解決手段】 欠陥部を有する発光素子に逆バイアスの電圧を印加すると、欠陥部において、逆方向電流が流れる。この逆方向電流から生じる発光をエミッション顕微鏡により測定して欠陥部を特定し、欠陥部にレーザーを照射して絶縁化させることによりショート箇所を修理するという発光装置の作製方法。
請求項（抜粋）：
陽極、陰極及び有機化合物層からなる発光素子を有する発光装置において、前記発光素子に逆バイアスを印加し、前記発光素子の欠陥部を特定し、前記欠陥部にレーザーを照射することを特徴とする発光装置の作製方法。
IPC (6件)：
H05B 33/10 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/00 352 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/14
FI (6件)：
H05B 33/10 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/00 352 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/14 A
Fターム (26件)：
3K007AB08 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  5C094AA21 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA07 ,  5C094FA01 ,  5C094FB01 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10 ,  5G435AA16 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435CC09 ,  5G435HH01 ,  5G435HH20 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10
引用特許：
審査官引用 (10件)
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