特許
J-GLOBAL ID：200903079312083966
誘電体膜の成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253383
公開番号（公開出願番号）：特開平7-109567
出願日： 1993年10月08日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：
【要約】【目的】 従来のセラミックス材ターゲットに印加される印加パワーに対してスパッタリングに寄与するエネルギーの損失が少なく、スパッタ収率が高く、またターゲットに印加する印加パワーを大きくすることが出来て、安定した高い成膜速度で成膜することが出来る誘電体膜の成膜方法。【構成】 セラミックス材ターゲットをスパッタリング法により基板上に誘電体膜として成膜する成膜方法において、スパッタリングターゲットの印加電圧1.5Vで板厚方向に測定した電気抵抗が10Ω・cm以下のセラミックス材ターゲットを用いてスパッタ成膜する。
請求項（抜粋）：
セラミックス材ターゲットをスパッタリング法により基板上に誘電体膜として成膜する成膜方法において、スパッタリングターゲットの印加電圧1.5Vで板厚方向に測定した電気抵抗が10Ω・cm以下のセラミックス材ターゲットを使用してスパッタ成膜することを特徴とする誘電体膜の成膜方法。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, C23C 14/08
, H01L 21/285
, H01L 21/314
