特許

J-GLOBAL ID：200903079323992046

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 吉岡 達男 ,  川村 哲也 ,  佐野 浩
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-192915
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045621
出願日： 1995年07月28日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】 一度にプラズマ処理可能な基板の枚数が増大するとともに、基板面内に均一なプラズマ処理を施す。【解決手段】 横姿勢に設置した反応管2と、この反応管2内に収納され複数の基板13を基板面が管軸方向に向くように縦列配置して支持した基板支持台11と、反応管2の外周面に沿って管軸方向に延びるとともに周方向に間隔を置いて配置した複数の電極8と、任意の電極8間に高周波電圧を印加する高周波電源と、反応管2の周囲に設置した加熱用ヒータ7とを備えたものである。

請求項（抜粋）：

横姿勢に設置した反応管と、この反応管内に収納され複数の基板を基板面が管軸方向に向くように縦列配置して支持した基板支持台と、前記反応管の外周面に沿って管軸方向に延びるとともに周方向に間隔を置いて配置した複数の電極と、任意の電極間に高周波電圧を印加する高周波電源と、前記反応管の周囲に設置した加熱手段とを備えたプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 B ,  H01L 21/22 E ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-137419
  
• 特開昭59-080926
  
• プラズマ生成装置および半導体薄膜のプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-323562   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平2-159027