特許
J-GLOBAL ID：200903079324243403
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-228523
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099256
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 トンネル絶縁膜界面及び浮遊ゲート・制御ゲート間絶縁膜特性の両方を満たすような浮遊ゲートを形成することができ、素子特性及び信頼性の向上をはかり得るEEPROMを提供すること。【構成】 半導体基板の上にトンネル絶縁膜を介して浮遊ゲートを形成し、この浮遊ゲート上にゲート絶縁膜を介して制御ゲートを形成して電気的書き替え可能なメモリセルを構成し、このメモリセルを複数個集積化したEEPROMにおいて、浮遊ゲートを2層多結晶シリコン膜40a,40bで形成し、下層のシリコン膜40aには不純物として砒素をドープし、上層のシリコン膜40bには不純物として砒素をドープすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にトンネル絶縁膜を介して浮遊ゲートを形成し、この浮遊ゲート上にゲート絶縁膜を介して制御ゲートを形成して電気的書き替え可能なメモリセルを構成し、このメモリセルを複数個集積化した不揮発性半導体記憶装置において、前記浮遊ゲートは、半導体膜に複数種の不純物種がドープされてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
