特許

J-GLOBAL ID：200903079339303682

半導体装置の製造方法

発明者： 浜迫 伸吾
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-267907
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093877
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 ドライエッチング後に、チャンバー内を不活性ガスのプラズマによって処理することにより、残留ガスによるパーティクルの発生とウエハーの帯電を防止する。【解決手段】 ドライエッチング後に、プロセスチャンバー11内をHe等の不活性ガス25のプラズマによって処理する、半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

チャンバー内の半導体ウエハに対して所望のドライエッチング処理を行なう工程と、前記チャンバー内から前記半導体ウエハを取り出した後に前記チャンバー内に不活性ガスを導入してプラズマ処理を行なう工程とを有する、半導体装置の製造方法。

Fターム (23件)：

5F004AA14 ,  5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BA08 ,  5F004BA09 ,  5F004BA13 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB21 ,  5F004CA01 ,  5F004CA06 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB08 ,  5F004EA29 ,  5F004EB02 ,  5F004EB05 ,  5F004FA08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• プラズマクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-035915   出願人：株式会社日立製作所