特許

J-GLOBAL ID：200903079380489555

半導体基板およびその製造方法

発明者： 石田 昌宏 ,  中村 真嗣 ,  折田 賢児 ,  今藤 修 ,  油利 正昭
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-116072
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353669
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板の欠陥を低減する。【解決手段】 結晶基板1上にAl0.5Ga0.5N層27を1.5μm成長する。この際、原料にトリメチルガリウムとトリメチルアルミニウムとアンモニアを用いて、GaとAlとNのモル供給比がGa:Al:N=0.5:0.5:5500となるようにする。つぎに、第8の実施の形態と全く同じ反応性イオンエッチングにより、Al0.5Ga0.5N層27に高さ2μmの千鳥格子状の段差を形成する。この段差は、Al0.5Ga0.5N層27の厚さより深く、底部はGaN基板1まで達している。Al0.5Ga0.5N結晶層27の上にAl0.5Ga0.5N層28を30μm成長する。

請求項（抜粋）：

半導体が結晶成長する方向として主面に対する法線方向とは異なる方向を有し、半導体内に生じる欠陥が集結してできる欠陥領域を備えた半導体基板。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/343

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/343 ,  H01L 29/80 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-034920
  
• ヘテロエピタキシャル成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-003885   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-318918
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-358988   出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-146431   出願人：日亜化学工業株式会社