半導体基板およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-116072
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353669
出願日： 1999年05月14日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】半導体基板の欠陥を低減する。【解決手段】結晶基板1上にAl0.5Ga0.5N層27を1.5μm成長する。この際、原料にトリメチルガリウムとトリメチルアルミニウムとアンモニアを用いて、GaとAlとNのモル供給比がGa:Al:N=0.5:0.5:5500となるようにする。つぎに、第8の実施の形態と全く同じ反応性イオンエッチングにより、Al0.5Ga0.5N層27に高さ2μmの千鳥格子状の段差を形成する。この段差は、Al0.5Ga0.5N層27の厚さより深く、底部はGaN基板1まで達している。Al0.5Ga0.5N結晶層27の上にAl0.5Ga0.5N層28を30μm成長する。

請求項（抜粋）：