特許

J-GLOBAL ID：200903079384603581

イメージ・フィールド・マップを利用して補助フィーチャを生成するための、方法、プログラム製品及び装置

発明者： カート イー.ワムプラー ,  ダグラス ファン デン ブルーク ,  ウヴェ ホーレルバッハ ,  シュエロン シー ,  ジャン フン チェン
出願人/特許権者： アスムル マスクツールズ ビー.ブイ.
代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  岩本 行夫 ,  吉田 裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-219416
公開番号（公開出願番号）：特開2005-025210
出願日： 2004年06月29日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：

【課題】イメージ・フィールド・マップを利用して補助フィーチャを生成するための方法、プログラム製品及び装置を提供すること。【解決手段】開示する概念には、基板の表面に形成するパターンのための補助フィーチャを、該パターンに対応するイメージ・フィールド・マップを生成することによって生成する、方法、プログラム製品及び装置が含まれている。イメージ・フィールド・マップから特性を抽出し、抽出した特性に基づいてパターンのための補助フィーチャが生成される。補助フィーチャは、イメージ・フィールド・マップの輪郭の主軸に対して配向することができる。また、補助フィーチャは、多角形の形状にすることができ、かつ、輪郭を取り囲むように大きさ決めし、或いは輪郭の内側に対して大きさ決めすることができる。さらに、補助フィーチャは、イメージ・フィールド・マップから識別した極値に基づいて配置することができる。イメージ・フィールド・マップを利用することにより、補助フィーチャを生成するための従来の複雑なルール・ベース2次元手法を使用する必要が除去される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の表面に形成するパターンのための補助フィーチャを生成する方法であって、 (a)前記パターンに対応するイメージ・フィールド・マップを生成するステップと、 (b)前記イメージ・フィールド・マップの所定の閾値における輪郭の特性を抽出するステップと、 (c)ステップ(b)で抽出した特性に基づいて、前記パターンのための少なくとも1つの補助フィーチャを生成するステップと を含む方法。

IPC (2件)：

G03F1/08 ,  H01L21/027

FI (2件)：

G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P

Fターム (3件)：

2H095BA01 ,  2H095BB02 ,  2H095BC09

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体回路設計パタンデータの補正方法、該補正方法により得られたパタンデータにより作製されたフォトマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-308115   出願人：大日本印刷株式会社
• 位相エッジをサブ解像度アシスト・フィーチャとして用いる光近接効果補正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-320524   出願人：アスムルマスクツールズビー.ブイ.
• 光学マスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-241797   出願人：富士通株式会社
• エッジ・フラグメントのタグ付けを使用してエッジ配置歪みを補正するサブミクロンIC設計のための改善された方法および装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-615855   出願人：メンター・グラフィクス・コーポレーション

審査官引用 (4件)

• 半導体回路設計パタンデータの補正方法、該補正方法により得られたパタンデータにより作製されたフォトマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-308115   出願人：大日本印刷株式会社
• 位相エッジをサブ解像度アシスト・フィーチャとして用いる光近接効果補正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-320524   出願人：アスムルマスクツールズビー.ブイ.
• 光学マスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-241797   出願人：富士通株式会社
• エッジ・フラグメントのタグ付けを使用してエッジ配置歪みを補正するサブミクロンIC設計のための改善された方法および装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-615855   出願人：メンター・グラフィクス・コーポレーション