特許
J-GLOBAL ID：200903070080641757

位相エッジをサブ解像度アシスト・フィーチャとして用いる光近接効果補正方法

発明者：
ダグラス ヴァン デン ブローク

ダグラス ヴァン デン ブローク について

, 
ジェイ ファン チェン

ジェイ ファン チェン について


出願人/特許権者：
アスムル マスクツールズ ビー.ブイ.

アスムル マスクツールズ ビー.ブイ. について


代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-320524
公開番号（公開出願番号）：特開2003-177511
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 その中に形成されたパターンを基板上に光学的に転写し、かつ光近接効果を打ち消すためのフォトリソグラフィ・マスクを提供すること。【解決手段】 マスクは、基板上に焼き付けるべき複数の解像可能なフィーチャと、少なくとも1つの解像不可能な光近接補正フィーチャとを備え、解像不可能な光近接補正フィーチャは位相エッジである。
請求項（抜粋）：
その中に形成されたパターンを基板上に光学的に転写するためのフォトリソグラフィ・マスクであって、前記基板上に焼き付けるべき複数の解像可能なフィーチャと、少なくとも1つの解像不可能な光近接補正フィーチャとを備え、前記少なくとも1つの解像不可能な光近接補正フィーチャは位相エッジであるフォトリソグラフィ・マスク。
IPC (2件)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 D ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
Fターム (9件)：
2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BB36 ,  2H095BC27 ,  2H095BC28 ,  5F046AA25 ,  5F046BA05 ,  5F046BA08 ,  5F046CB17
引用特許：
審査官引用 (5件)
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