特許
J-GLOBAL ID:200903079396332753

有機半導体素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-106354
公開番号(公開出願番号):特開2004-311872
出願日: 2003年04月10日
公開日(公表日): 2004年11月04日
要約:
【課題】移動度、オン/オフ比に優れた有機半導体を提供する。【解決手段】有機半導体層に有機物で処理した炭素材料を利用する。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
基板上にゲート電極、絶縁材料層、ソースドレイン電極、有機化合物薄膜層を有する有機半導体素子において、該有機化合物薄膜層が少なくとも有機材料で処理されている炭素材料からなる層であることを特徴とする有機半導体素子。
IPC (2件):
H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (2件):
H01L29/78 618B ,  H01L29/28
Fターム (12件):
5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07
引用特許:
審査官引用 (1件)

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