特許

J-GLOBAL ID：200903079396900905

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 上 村 昌 己
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-169985
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004603
出願日： 2006年06月20日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

【課題】母材の経時変化により光学的性質が変化しても、反応炉(チャンバー)内に堆積した膜の膜厚を精度良く測定できる半導体製造装置を提供する。【解決手段】半導体ウェーハを収容して成膜を行う反応炉2を有し、前記半導体ウェーハに成膜するための成膜ガス及び前記反応炉の内壁に堆積した膜をクリーニングするためのクリーニングガスが導入される半導体製造装置であって、光を発する発光部1と、前記発光部が発し、前記反応炉を透過した光を受光し、その受光した光の複数の波長における透過率を測定する受光部3と、所定の波長範囲での前記透過率を用いて前記反応炉内のクリーニングを行うか否かの判定、前記反応炉内のクリーニングの終了時期の判定及び前記反応炉の交換をするか否かの判定のうち少なくとも一つを行う計算部5と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハを収容して成膜を行う反応炉を有し、前記半導体ウェーハに成膜するための成膜ガス及び前記反応炉の内壁に堆積した膜をクリーニングするためのクリーニングガスが導入される半導体製造装置であって、 光を発する発光部と、 前記発光部が発し、前記反応炉を透過した光を受光し、その受光した光の複数の波長における透過率を測定する受光部と、 所定の波長範囲での前記透過率を用いて前記反応炉内のクリーニングを行うか否かの判定、前記反応炉内のクリーニングの終了時期の判定及び前記反応炉の交換をするか否かの判定のうち少なくとも一つを行う計算部と、 を備えることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/306 ,  C23C 16/44

FI (3件)：

H01L21/31 B ,  H01L21/302 101H ,  C23C16/44 J

Fターム (26件)：

4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA39 ,  4K030LA15 ,  5F004AA15 ,  5F004BA19 ,  5F004BB02 ,  5F004BD04 ,  5F004CB02 ,  5F004CB15 ,  5F004DA00 ,  5F004DB07 ,  5F045AA06 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045BB01 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB06 ,  5F045GB15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 気相成長装置及びクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-012012   出願人：日本電気株式会社