特許
J-GLOBAL ID：200903079411223575
セラミック素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-073764
公開番号（公開出願番号）：特開2003-272906
出願日： 2002年03月18日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 メッキ液及び半田フラックスに基づくセラミック素体の劣化が生じた。【解決手段】 Pd内部電極2、3を有する積層セラミック素体1を形成する。セラミック素体1の全外周面にAlxOyから成る保護膜を形成する。Agペ-ストの塗布、焼付けによって外部電極用の導電体層14、15を形成する。Agペ-ストの焼付けによってPd内部電極2、3の体積膨張が生じ、内部電極2、3が保護膜6を破って外部電極4、5に電気的に接続される。保護膜6は外部電極4、5の下に残存する。保護膜6の上にシリコ-ン樹脂層7を設ける。Ag導体層14、15の上にはNiメッキ層16、17及びSnメッキ層18、19を順次に形成する。
請求項（抜粋）：
セラミック素体と、前記セラミック素体外周面の一部に露出する端面を有するように前記セラミック素体に埋設され且つ加熱によって体積膨張する性質を有する材料で形成されている内部電極と、前記セラミック素体の全外周面を覆うように形成されており且つ前記内部電極の突き出しによって破られた部分を有している保護膜と、前記保護膜を介して前記セラミック素体の外周面の一部を覆うように配置され且つ前記保護膜の前記破られた部分から突出した前記内部電極に対して電気的に接続されている外部電極とから成るセラミック素子。
Fターム (11件)：
5E034CA10
, 5E034CB01
, 5E034CC02
, 5E034DA07
, 5E034DB03
, 5E034DB05
, 5E034DC03
, 5E034DC05
, 5E034DC09
, 5E034DE07
, 5E034DE16
