特許

J-GLOBAL ID：200903079437295906

トランジスタおよびその製造方法

発明者： 青木 伸也 ,  加藤 理一 ,  平岡 俊郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-300993
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110999
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 高温下での熱処理を用いずに作製でき、ゲート電圧の低いトランジスタの提供。【解決手段】 基板1上に形成されたゲート電極2、ゲート絶縁層3、ソース電極4、ドレイン電極5およびチャネル生成半導体層6からなる薄膜トランジスタにおいて、高誘電率無機化合物粒子3-1をアモルファス絶縁物3-2中に分散させたゲート絶縁層3を使用する。

請求項（抜粋）：

互いに分離して設けられたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極およびドレイン電極間に介在するチャネル生成半導体層と、前記チャネル生成半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを備えるトランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層は、有機又は無機のアモルファス絶縁物と、この絶縁性アモルファス材料中に分散した高誘電率無機化合物粒子とを備えたことを特徴とするトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/00

FI (3件)：

H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B

Fターム (40件)：

5F110AA08 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF03 ,  5F110FF06 ,  5F110FF07 ,  5F110FF21 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK31 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-011871   出願人：日本電気株式会社
• 特開平1-313343
  
• 複合型コンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-026503   出願人：信越化学工業株式会社
• 強誘電体薄膜及び強誘電体薄膜被覆基板並びに強誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-302133   出願人：シャープ株式会社