特許

J-GLOBAL ID：200903079461558446

光源基板の製造方法および光源基板製造装置

発明者： 中町 啓一 ,  安田 淳
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-109153
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270406
出願日： 2007年04月18日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：

【課題】工程数および在庫数を最小限に抑えつつ高性能な光源基板を製造することの可能な光源基板の製造方法を提供する。【解決手段】配線基板とチップ状の複数の発光ダイオードとを備えた光源基板の製造方法であって、ウェハ上に配列されたチップ状の複数の発光ダイオードの個々の光学特性を計測して得られた光学特性データを元にして、抽出条件に合致するデータに対応する発光ダイオードを配線基板上に直接マウントするマウント工程を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

配線基板とチップ状の複数の発光ダイオードとを備えた光源基板の製造方法であって、 ウェハ上に形成されたチップ状の複数の発光ダイオードの個々の光学特性を計測して得られた光学特性データを元にして、抽出条件に合致するデータに対応する発光ダイオードを前記配線基板上に直接マウントするマウント工程 を含むことを特徴とする光源基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  G02F 1/133 ,  F21S 2/00

FI (3件)：

H01L33/00 N ,  G02F1/13357 ,  F21S1/00 E

Fターム (19件)：

2H091FA14Z ,  2H091FA21Z ,  2H091FA32Z ,  2H091FA45Z ,  2H091LA12 ,  2H091LA30 ,  2H191FA31Z ,  2H191FA42Z ,  2H191FA52Z ,  2H191FA85Z ,  2H191LA13 ,  2H191LA40 ,  5F041AA42 ,  5F041DA14 ,  5F041DA20 ,  5F041DA82 ,  5F041DB08 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• バックライト装置及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-121605   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (4件)

• 発光素子の製造方法および発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-361000   出願人：株式会社ナノテム
• 透明導電層及び反射層で直接結合されたチップの積み重ねによるフルカラー発光ダイオード光源のパッケージ構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-384431   出願人：張修恒
• 半導体ペレットのマウント方法及びぺレット選択装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055903   出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-068185   出願人：シチズン電子株式会社