特許
J-GLOBAL ID:200903064840578147

発光素子の製造方法および発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 落合 稔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-361000
公開番号(公開出願番号):特開2004-221536
出願日: 2003年10月21日
公開日(公表日): 2004年08月05日
要約:
【課題】 蛍光体層が一体形成されて均一化および小型化に適し且つ輝度と発光効率の高い発光素子を、高い歩留りで製造できる発光素子の製造方法および発光素子を提供する。【解決手段】 工程(a)では、サファイア基板10上に複数の発光素子(青色LEDチップ:但し、各々のサイズは従来の青色LEDチップよりも小さい)のための発光層19が形成された1枚の青色LEDウェハー11を用意する。工程(b)では、各発光素子の発光効率を向上させるための所定の形状の溝(チップ側面)を形成する。工程(c),(d)では、青色光と補色の関係をなす補色光を発光するための蛍光体層14を形成し、工程(e)の色度検査の後、工程(f)では、上記発光素子間の境界を切断具25を使用して切断(ダイシング)する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
透光性結晶基板上に半導体膜を積層して形成された発光層からの青色光と蛍光体層を介しての補色光との合成により白色光として外部に発光する方式の発光素子を製造するための発光素子の製造方法であって、 前記透光性結晶基板上に複数個の前記発光素子に対応する前記発光層が形成されて成る青色LEDウェハーを用意する準備工程と、 前記青色LEDウェハーの前記発光層と反対側の上面に、前記補色光のための蛍光体を塗布して硬化させ、前記蛍光体層を形成する蛍光体層形成工程と、 前記青色LEDウェハー上の前記複数個の発光素子間の境界を切断する切断工程と、 を備えたことを特徴とする発光素子の製造方法。
IPC (1件):
H01L33/00
FI (2件):
H01L33/00 N ,  H01L33/00 C
Fターム (16件):
5F041AA11 ,  5F041AA41 ,  5F041AA42 ,  5F041AA43 ,  5F041CA40 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA19 ,  5F041DA32 ,  5F041DA92 ,  5F041DB03 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11
引用特許:
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (5件)
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