特許

J-GLOBAL ID：200903079464019465

III族窒化物系化合物半導体発光素子

発明者： 柴田 直樹 ,  小澤 隆弘
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (3件)： 小西 富雅 ,  中村 知公 ,  萩野 幹治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-326534
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134787
出願日： 2003年09月18日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【目的】 短波長の光を高い出力で発光できるIII族窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。【構成】 AlとInを必須構成元素としたAlGaInNからなる井戸層と、Alを必須構成元素としたAlGaInNからなる障壁層とを有する量子井戸構造を備えるIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、井戸層のAl組成に比べて障壁層のAl組成を同じか若しくは小さくする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

Alx1Gay1In1-x1-y1N(0<x1,0≦y1,x1+y1<1)からなる井戸層と、Alを必須構成元素としたAlx2Gay2In1-x2-y2N(0<x2,0≦y2,x2+y2<1)からなる障壁層とを有する量子井戸構造を備えるIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、 前記井戸層のAl組成に比べて前記障壁層のAl組成が同じか若しくは小さい、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01S5/343

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01S5/343 610

Fターム (14件)：

5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA52 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F073AA74 ,  5F073CA11 ,  5F073EA05 ,  5F073EA15

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-122141   出願人：松下電子工業株式会社
• 量子井戸型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-314770   出願人：旭化成工業株式会社