特許
J-GLOBAL ID：200903069862110167

半導体装置

発明者：
石田 昌宏

石田 昌宏 について

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今藤 修

今藤 修 について

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油利 正昭

油利 正昭 について

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伊藤 国雄

伊藤 国雄 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-122141
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031537
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 窒化物よりなる半導体層を用いる半導体装置において、半導体層における窒素ベーカンシを減少させて半導体装置の特性を向上させる。【解決手段】 基板7の上に砒素を含むGaNよりなる半導体層8が形成され、この半導体層8の上に電解効果トランジスタやバイポーラトランジスタの能動素子またはコンデンサや抵抗等の受動素子の半導体素子が形成されたものである。ここで、半導体層8を形成する化合物に含まれる窒素および砒素の量について、窒素のほうが砒素よりも多くしてある。
請求項（抜粋）：
ホウ素、アルミニウム、ガリウムおよびインジウムからなる群より選ばれた1つ以上の元素と、燐、砒素およびアンチモンからなる群より選ばれた1つ以上の元素と、窒素とからなる化合物よりなる半導体層を有する半導体装置であって、前記化合物中に含まれる燐、砒素およびアンチモンの原子数の総和が前記化合物中に含まれる窒素の原子数よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 673
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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