特許

J-GLOBAL ID：200903079474893724

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 二宮 仁 ,  三浦 喜直
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-366565
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173379
出願日： 2005年12月20日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：

【課題】 破壊耐圧の高い半導体装置、およびこの半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】パワーMOSFET1は、p型の第一のベース領域105と、第一のベース領域105中に形成され、第一のベース領域105よりも不純物濃度が高いp型の第二のベース領域106と、第一のベース領域105中に形成され、一部が第二のベース領域106上に設けられ、第一のベース領域105および第二のベース領域106に接合するとともに、第二のベース領域106よりも浅いn型のソース領域107と、を有する。ソース領域107は、第一のベース領域105と接合する第一のソース領域107Aと、第一のソース領域107Aに連続して設けられ、第二のベース領域106上に形成された第二のソース領域107Bとを有する。第二のソース領域107Bの第二のベース領域106との接合面は、第二のソース領域107B側に膨出している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた一導電型の層中に形成される逆導電型の第一のベース領域と、 前記第一のベース領域中に形成され、第一のベース領域よりも不純物濃度が高い逆導電型の第二のベース領域と、 前記第一のベース領域中に前記第二のベース領域に隣接して形成されるとともに、一部が前記第二のベース領域上に設けられ、前記第一のベース領域および第二のベース領域に接合し、前記第二のベース領域よりも浅い一導電型のソース領域と、を有し、 前記ソース領域は、 前記第一のベース領域と接合する第一のソース領域と、 前記第一のソース領域に連続して設けられ、前記第二のベース領域上に形成された第二のソース領域と、を有し、 前記第二のソース領域の第二のベース領域との接合面は、前記第二のソース領域側に膨出している半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L29/78 652D ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658E

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-045096   出願人：山形日本電気株式会社