特許
J-GLOBAL ID：200903079479174548
半導体X線検出装置および蛍光X線分析装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有近 紳志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-028677
公開番号（公開出願番号）：特開2009-186403
出願日： 2008年02月08日
公開日（公表日）： 2009年08月20日
要約：
【課題】多段サーモ・モジュールにかかる負荷を軽減する。不純線を抑制する。【解決手段】コールドフィンガー(3)の熱伝導部材(3a)および蓋部材(3b)をアルミニウム製とし、且つ、半導体X線検出素子(1)とFET部(2)の間に、蛍光X線遮蔽部材(6)を設ける。【効果】半導体X線検出装置(30)を鉛直方向から傾けた姿勢で設置したときに多段サーモ・モジュール(4)にかかる負担を軽減でき、振動・衝撃に強くなり、輸送時の信頼性や寿命を向上できる。X線が半導体X線検出素子(1)を突き抜けて熱伝導部材(3a)のアルミニウムに吸収されることで発生した蛍光X線が半導体X線検出素子(1)に後方から入射することを抑制でき、不純線を抑制できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体X線検出素子(1)と、前記半導体X線検出素子(1)の信号を増幅するためのFET部(2)と、前記半導体X線検出素子(1)および前記FET部(2)を保持し冷却するためのコールドフィンガー(3)と、前記コールドフィンガー(3)の膨張緩和部材(3c)に固定され前記コールドフィンガー(3)を支持し冷却するための多段サーモ・モジュール(4)とを具備してなる半導体X線検出装置であって、前記コールドフィンガー(3)の熱伝導部材(3a)および蓋部材(3b)をアルミニウム製とし、且つ、前記半導体X線検出素子(1)と前記FET部(2)の間に、蛍光X線遮蔽部材(6)を設けたことを特徴とする半導体X線検出装置(30)。
IPC (3件)：
G01T 1/24
, G01N 23/223
, G01T 7/00
G01T1/24
, G01N23/223
, G01T7/00 A
2G001AA01
, 2G001BA05
, 2G001CA01
, 2G001DA01
, 2G001DA02
, 2G001DA03
, 2G001DA10
, 2G001KA01
, 2G001PA07
, 2G001SA08
, 2G001SA10
, 2G001SA30
, 2G088EE29
, 2G088FF02
, 2G088GG21
, 2G088JJ01
, 2G088JJ35
出願人引用 (1件)
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X線検出器
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-128225
出願人：日本電子株式会社, 日本電子エンジニアリング株式会社
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