特許
J-GLOBAL ID：200903079483223790

光変調器

発明者：
杉山 昌樹

杉山 昌樹 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-224778
公開番号（公開出願番号）：特開2008-046573
出願日： 2006年08月21日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：
【課題】小型化を図ることによって懸念される電極間の短絡を抑制すると共に、高周波の伝送特性を確保できる光変調器を実現する。【解決手段】一対の光導波路の上に電極を備えるマッハツェンダ型の光変調器であって、該電極は該光導波路の伝播する光を変調するための変調信号が印加される信号電極と、接地電位を与える接地電極と、該変調信号の動作点を制御するための電圧が印加されるバイアス電極から構成され、該接地電極は該信号電極の両側に設置され、該両側の一方の第一の接地電極は該一対の光導波路の何れか一方の上に設置され、該バイアス電極が、該第一の接地電極の近傍で該信号電極と異なる側に設置され、該バイアス電極は該基板の表面に直接設置され、該バイアス電極の上にバッファ層が形成され、該第一の接地電極は該バイアス電極を挟んで梯子状の電極を形成する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
一対の光導波路の上に電極を備えるマッハツェンダ型の光変調器であって、 該電極は該光導波路の伝播する光を変調するための変調信号が印加される信号電極と、接地電位を与える接地電極と、該変調信号の動作点を制御するための電圧が印加されるバイアス電極から構成され、 該接地電極は該信号電極の両側に設置され、該両側の一方の第一の接地電極は該一対の光導波路の何れか一方の上に設置され、 該バイアス電極が、該第一の接地電極の近傍で該信号電極と異なる側に設置され、 該接地電極の厚さは該信号電極の厚さよりも厚いことを特徴とする光変調器。
IPC (1件)：
G02F 1/035
FI (1件)：
G02F1/035
Fターム (12件)：
2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079BA03 ,  2H079DA03 ,  2H079DA22 ,  2H079EA05 ,  2H079EB00 ,  2H079EB04 ,  2H079HA14 ,  2H079HA15 ,  2H079HA21
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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