特許
J-GLOBAL ID：200903079538973883
発光ダイオード及びその製作方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-379403
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179254
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】第二導電型クラッド層のZnが活性層中に拡散することを効果的に抑止し、実用性に富む高出力、且つ高信頼性の発光ダイオードを得る。【解決手段】第一導電型の半導体基板1上に、第一導電型クラッド層3、アンドープ活性層4、第二導電型クラッド層5、更に第二導電型電流分散層6が積層された半導体発光素子において、アンドープ活性層4と第二導電型クラッド層5の間に、厚さ500nm以上のアンドープスペーサ層9を設ける。
請求項（抜粋）：
第一導電型の半導体基板上に、第一導電型のクラッド層、アンドープ活性層、第二導電型のクラッド層、更に第二導電型の電流分散層が順次積層された半導体発光素子において、第二導電型クラッド層とアンドープ活性層の間に、活性層よりもバンドギャップエネルギーの高いアンドープ層を500nm以上形成したことを特徴とする発光ダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 B
, H01L 21/205
5F041AA44
, 5F041CA03
, 5F041CA22
, 5F041CA34
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA64
, 5F041FF01
, 5F045AA04
, 5F045AB18
, 5F045AC07
, 5F045AC19
, 5F045AD11
, 5F045AE23
, 5F045AF04
, 5F045AF05
, 5F045CA10
, 5F045DA52
, 5F045DA59
, 5F045DA63
, 5F045DA64
