特許
J-GLOBAL ID：200903077958605151

半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
佐々木 和明

佐々木 和明 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-128311
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321633
出願日： 1995年05月26日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：
【要約】【目的】 活性層の結晶性劣化による発光効率の低下を防止する。【構成】 活性層3側のpクラッド層4の一部をアンドープ層21とすることによって、電流拡散層5によって誘発されるpクラッド層4のドーパント(Zn)の活性層3への拡散がこのアンドープ層21で阻止されるため、活性層3の結晶性劣化を防止することができ、したがって、発光効率に優れた発光ダイオード(LED)を得ることができる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に第1導電型のクラッド層、アンドープ活性層、第2導電型のクラッド層さらに第2導電型の電流拡散層が順次積層された半導体発光素子において、該第1導電型のクラッド層、第2導電型のクラッド層および第2導電型の電流拡散層のうち少なくとも該第2導電型のクラッド層の一部をアンドープクラッド層とする構成とした半導体発光素子。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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