特許
J-GLOBAL ID:200903079595925232

分極反転部の製造方法および光デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 細田 益稔 ,  青木 純雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-297042
公開番号(公開出願番号):特開2005-070192
出願日: 2003年08月21日
公開日(公表日): 2005年03月17日
要約:
【課題】単分極化している強誘電体単結晶基板に電圧印加法によって分極反転部を製造するに際して、櫛形電極の全体にわたって良好な周期状分極反転部を形成すること。【解決手段】単分域化している強誘電体単結晶基板2の一方の主面2a上に櫛形電極3を設け、他方の主面2b側に一様電極4を設け、櫛形電極3と一様電極4との間に電圧を印加することによって分極反転部を製造する。基板本体5、基板本体の一方の主面5a上に設けられている第一の導電膜6、および他方の主面5b上に設けられている第二の導電膜7を有する下地基板を、基板2と積層する。この際、一様電極4と第一の導電膜6とを電気的に導通させ、櫛形電極3と第二の導電膜7との間に電圧を印加することによって、基板2に分極反転部を形成する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
単分域化している強誘電体単結晶基板の一方の主面上に櫛形電極を設け、前記強誘電体単結晶基板の他方の主面側に一様電極を設け、前記櫛形電極と前記一様電極との間に電圧を印加することによって分極反転部を製造する方法であって、 本体、この本体の一方の主面上に設けられている第一の導電膜、および前記本体の他方の主面上に設けられている第二の導電膜を有する下地基板を、前記強誘電体単結晶基板と積層し、この際前記一様電極と前記第一の導電膜とを電気的に導通させ、前記櫛形電極と前記第二の導電膜との間に電圧を印加することによって、前記強誘電性単結晶基板に前記分極反転部を形成することを特徴とする、分極反転部の製造方法。
IPC (2件):
G02F1/37 ,  G02F1/355
FI (2件):
G02F1/37 ,  G02F1/355
Fターム (10件):
2K002AA01 ,  2K002AA04 ,  2K002AA06 ,  2K002AB12 ,  2K002CA03 ,  2K002CA22 ,  2K002CA23 ,  2K002FA27 ,  2K002HA14 ,  2K002HA20
引用特許:
出願人引用 (1件)

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