特許
J-GLOBAL ID:200903079623672787

シリカおよびシリカベースのスラリー

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-506379
公開番号(公開出願番号):特表2005-515950
出願日: 2002年06月13日
公開日(公表日): 2005年06月02日
要約:
本発明は、シリカ、スラリー組成物、およびそれらの調製の方法に関する。特に、本発明のシリカは、凝集された第1の粒子を含む。シリカを組み込むスラリーは、物品を磨くのに適切であり、そして特に、半導体基板および他のマイクロエレクトロニクス基材の化学-機械的平坦化に有用である。1つの実施形態において、シリカであって、以下:(a)第1の粒子の凝集体であって、該第1の粒子が、少なくとも7ナノメートルの平均直径を有し、ここで、該凝集体が、1ミクロン未満の凝集体サイズを有する、凝集体;および(b)1平方ナノメートル当たり、少なくとも7個のヒドロキシル基のヒドロキシル含有量、を含む、シリカが提供される。
請求項(抜粋):
シリカであって、以下: (a)第1の粒子の凝集体であって、該第1の粒子が、少なくとも7ナノメートルの平均直径を有し、ここで、該凝集体が、1ミクロン未満の凝集体サイズを有する、凝集体;および (b)1平方ナノメートル当たり、少なくとも7個のヒドロキシル基のヒドロキシル含有量、 を含む、シリカ。
IPC (4件):
C01B33/12 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304
FI (4件):
C01B33/12 Z ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  H01L21/304 622D
Fターム (15件):
3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058DA02 ,  3C058DA13 ,  3C058DA17 ,  4G072AA27 ,  4G072BB01 ,  4G072DD05 ,  4G072DD07 ,  4G072GG01 ,  4G072GG02 ,  4G072HH21 ,  4G072TT01 ,  4G072UU01 ,  4G072UU30
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 沈降シリカの製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-184672   出願人:デグッサアクチェンゲゼルシャフト

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