特許

J-GLOBAL ID：200903079644775578

荷電粒子線照射方法および装置

発明者： 関原 雄 ,  水野 文夫 ,  石原 世子 ,  大鋸谷 薫 ,  広瀬 博
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-209122
公開番号（公開出願番号）：特開平9-035677
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】 下層配線でも加工位置を特定できるイオンビーム加工技術の提供。【構成】 イオンビーム照射部1と平行に光学顕微鏡30を設備する。下層配線の加工に際して、まず、光学顕微鏡30で試料20の下層配線のパターン画像を得、加工したい位置が指定される。ステージ6で試料がイオンビーム照射部1に移動されイオンビーム5が照射されて複数の探索用マークが表示される。ステージ6で試料が光学顕微鏡30に移動され、パターン画像と各マーク画像との重畳画像が形成され、重畳画像で各マーク同士間距離、各マークと指定位置間距離が測定される。試料がイオンビーム照射部1に再び移動され、マーク画像が形成されて各マーク同士の距離が測定される。この測定距離と重畳画像での各測定距離とで試料表面の指定位置に当たる加工位置が演算される。この演算位置にイオンビーム照射部1でイオンビーム5が実際に照射されて所望の加工が施される。

請求項（抜粋）：

試料に荷電粒子線が二次元的に走査されて照射されるとともに、その照射によって発生する粒子が検出されてその検出信号により画像が形成される荷電粒子線照射方法において、前記試料に照射された試料表面層透過可能の測定波のその試料からの強度変調信号波が受けられて前記試料表面層下に形成されたパターンの画像が形成されるとともに、このパターン画像によって位置が指定される位置指定工程と、前記試料の表面における前記指定位置に相当する位置の近傍の複数箇所に前記荷電粒子線がそれぞれ照射されて各探索用マークがそれぞれ表示されるマーク表示工程と、前記試料の表面に前記測定波が照射されてその強度変調信号波が受けられて前記指定位置のパターン画像と前記各マークの画像とが重畳されて形成され、この重畳画像において各マーク同士の距離および各マークと指定位置との距離がそれぞれ測定される距離測定工程と、前記各距離を測定された試料について前記荷電粒子線が照射されて発生粒子が検出されることによって画像が形成されるとともに、この画像において前記各マーク同士の距離が測定され、これら測定距離と前記各測定距離とによって前記試料の表面における前記指定位置に相当する位置が演算される演算工程と、を備えていることを特徴とする荷電粒子線照射方法。

IPC (3件)：

H01J 37/22 502 ,  H01J 37/28 ,  H01J 37/30

FI (3件)：

H01J 37/22 502 A ,  H01J 37/28 Z ,  H01J 37/30 Z