特許
J-GLOBAL ID:200903079650864752
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安富 耕二 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-206533
公開番号(公開出願番号):特開平11-054695
出願日: 1997年07月31日
公開日(公表日): 1999年02月26日
要約:
【要約】【課題】 肉厚を厚くすることなく1つのパッケージ内に複数の半導体チップを積層し高密度実装を可能にする。【解決手段】 第1の半導体チップ50の上に第2の半導体チップ51をフェイスダウンで固着する。そして第2の半導体チップ51と第1の半導体チップ50との電気的接続は、半田ボール53、54を介して行う。また第2の半導体チップ51の半田が融けて落下しない様に、第1の半田ボールよりも高融点のものを採用する。
請求項(抜粋):
アイランド上に固着された第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップの上に固着された第2の半導体チップと、前記第1の半導体チップまたは前記第2の半導体チップの周囲にその一端が延在されたリードと、前記リードと前記半導体チップとを電気的に接続する接続手段と、前記第1の半導体チップ、第2の半導体チップ、リードおよび接続手段を封止する樹脂とを備え、前記第2の半導体チップは、前記第1の半導体チップの上にフェイスダウンで半田固着され、前記第2の半導体チップ側の半田は、第1の半導体チップ側の半田よりも高融点の半田が用いられていることを特徴とした半導体装置。
IPC (3件):
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
引用特許:
審査官引用 (6件)
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樹脂封止半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-003393
出願人:シャープ株式会社
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特開平4-032234
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特開昭64-028931
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-332735
出願人:株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
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特開平4-032234
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特開昭64-028931
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