特許

J-GLOBAL ID：200903079671555520

半導体素子のシリコン絶縁膜形成方法

発明者： ヒュンサング ハワング
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-178350
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221093
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】適量の窒素を含有しかつ充分な厚さを有する半導体素子のシリコン絶縁膜形成方法の提供。【構成】半導体ウエハを熱処理炉内に設置し、炉内温度を750〜1050°Cに維持し、NOガスとO2ガスとを、それらの供給比率を調節しながら一定時間供給して、SiとSiO2との界面に窒素原子を含有させる工程から成る。また、酸化工程終了後、酸化工程時の温度よりも高い温度でNOガスのみの雰囲気で熱処理して、SiとSiO2との上記界面に、より多くの窒素を含有させる工程から成る。また、炉内温度を約900°Cに維持し、20〜30分間酸化工程を実施して、厚さ約100Åのシリコン絶縁膜を形成する工程から成る。

請求項（抜粋）：

半導体素子のシリコン絶縁膜形成方法において、シリコン絶縁膜を形成する半導体ウエハを熱処理炉内に設置して酸化準備工程を終了した後、炉内温度を750〜1050°Cに維持し、NOガスとO2ガスとを、それらの供給比率を調節しながら一定時間供給して、SiとSiO2との界面に窒素原子を含有させる工程を含んでなることを特徴とする半導体素子のシリコン絶縁膜形成方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 酸窒化膜層の絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-327921   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平4-245636
  
• 特開昭64-035954
  
• 絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-050940   出願人：沖電気工業株式会社