コバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法、コバルトドープ二酸化チタン膜、及び多層膜構造

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：杉村興作 , 高見和明 , 徳永博 , 岩佐義幸 , 藤谷史朗 , 来間清志 , 冨田和幸 , 阿相順一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-015502
公開番号（公開出願番号）：特開2005-206890
出願日： 2004年01月23日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】表面が原子レベルで平坦であって結晶性に優れ、強磁性的性質を自在に制御することができるコバルトドープ二酸化チタン膜を提供する。【解決手段】基板11上に、二酸化チタン膜12を形成する。次いで、二酸化チタン膜12上にコバルトをドープした二酸化チタン膜13を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

所定の基板を準備する工程と、前記基板上に、二酸化チタン膜を形成する工程と、前記二酸化チタン膜上にコバルトをドープした二酸化チタン膜を形成する工程と、を具えることを特徴とする、コバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法。

IPC (3件)：

C23C14/08 , H01F10/16 , H01F41/22

FI (3件)：

C23C14/08 E , H01F10/16 , H01F41/22

Fターム (16件)：

4G047CA05 , 4G047CB04 , 4G047CC03 , 4G047CD02 , 4K029BA48 , 4K029BB09 , 4K029BC06 , 4K029CA02 , 4K029DB20 , 5E049AB10 , 5E049AC05 , 5E049BA22 , 5E049CB01 , 5E049DB04 , 5E049EB06 , 5E049JC01

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