有機半導体素子とその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-177880
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005041
出願日： 2004年06月16日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【課題】素子構造の微細化や直接描画による低コスト化等を損なうことなく、素子製造効率の向上を図った有機半導体素子とその製造方法を提供する。【解決手段】有機半導体素子1は、ソース電極9と、ドレイン電極10と、これらソース電極9とドレイン電極10との間を電気的に接続する有機半導体層7と、この有機半導体層7に電界を印加するようにゲート絶縁膜4を介して配置されたゲート電極3とを具備する。有機半導体層7は有機半導体材料粒子の熱融着層からなる。有機半導体材料粒子の熱融着層は、例えば電子写真方式を適用して有機半導体材料粒子を付着させた後、この有機半導体材料粒子の付着層を加熱して熱融着させることにより形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極とドレイン電極との間を電気的に接続する有機半導体層と、前記有機半導体層に電界を印加するようにゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極とを具備する有機半導体素子において、前記有機半導体層は有機半導体材料粒子の熱融着層からなることを特徴とする有機半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05

FI (3件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/28

Fターム (18件)：

5F110AA30 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110EE02 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK21 , 5F110HK32

引用特許：

出願人引用 (1件)

有機半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-259164 出願人：コニカ株式会社

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