特許
J-GLOBAL ID：200903091576396865

有機半導体素子およびその製造方法

発明者：
平井 桂

平井 桂 について

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船山 智

船山 智 について

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江口 俊哉

江口 俊哉 について

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山本 直人

山本 直人 について


出願人/特許権者：
コニカ株式会社

コニカ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-259164
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179234
出願日： 2002年09月04日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】有機半導体部とゲート電極間に配置される絶縁膜を大気圧下のプラズマ処理により形成する有機半導体素子とその製造方法を提供する。【解決手段】ソース電極S、ドレイン電極D、前記ソース電極Sと前記ドレイン電極Dを連結する有機半導体部、ゲート電極G、および前記有機半導体部とケ ゙ート電極間Gに配置される絶縁膜を有するとともに、前記絶縁膜が大気圧下におけるプラズマ処理によって形成された絶縁膜である有機半導体素子と、有機半導体部とケ ゙ート電極G間に配置される絶縁膜を大気圧下におけるプラズマ処理によって形成する有機半導体素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
ソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極と前記ドレイン電極を連結する有機半導体部、ゲート電極、および前記有機半導体部とケ ゙ート電極間に配置される絶縁膜を有するとともに、前記絶縁膜が大気圧下におけるプラズマ処理によって形成された絶縁膜であることを特徴とする有機半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/473 ,  H01L 51/00
FI (4件)：
H01L 21/473 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/28
Fターム (42件)：
5F058BA20 ,  5F058BB07 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF03 ,  5F058BF23 ,  5F058BJ04 ,  5F110AA05 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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