特許
J-GLOBAL ID:200903079742576087

半導体発光装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 植本 雅治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-334623
公開番号(公開出願番号):特開2008-147511
出願日: 2006年12月12日
公開日(公表日): 2008年06月26日
要約:
【課題】 新たな設備を導入したりすることなく、硫化や熱などによる反射層の反射率の低下を防止し、かつ半導体発光素子と反射層との接合性を変化させずに半導体発光素子を取付けることを可能にする。【解決手段】 本発明の半導体発光装置は、所定の基板(例えばシリコン基板)3aと、前記所定の基板3a上に形成された反射層3eと、前記反射層3e上に形成された当該反射層3eよりも薄い膜厚のTiコート層3fと、半導体発光素子4とを有し、前記反射層3eは、半導体発光素子4から出射された光に対する反射面としての機能を有している。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
所定の基板と、 前記所定の基板上に形成された反射層と、 前記反射層上に形成された当該反射層よりも薄い膜厚のTiコート層と、 半導体発光素子とを有し、 前記反射層は、前記半導体発光素子から出射された光に対する反射面としての機能を有している、ことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件):
H01L 33/00
FI (1件):
H01L33/00 N
Fターム (8件):
5F041AA44 ,  5F041CA74 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA32 ,  5F041DA36 ,  5F041DA78
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • LED及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-338624   出願人:スタンレー電気株式会社
審査官引用 (4件)
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