特許
J-GLOBAL ID：200903079761885058
紫外線検知装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-317318
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163967
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 紫外線に対する感度が良好であり、信号処理回路と共にSi半導体チップに形成することができて、小型化及び低コスト化が可能な紫外線検知装置を提供する。【構成】 多孔質Si領域8はエピタキシャル層4の所定領域を陽極化成処理して形成されたものである。陽極化成処理時の処理条件を制御することにより、多孔質Si領域8は紫外線を吸収するとホトルミネッセンスにより光(可視光)を出力するようになる。この多孔質Si領域8の下方及び側方にはn型不純物拡散領域3,6が形成されており、これらのn型不純物拡散領域3,6とp型領域(基板1及びエピタキシャル層4)とによりPNホトダイオードが構成されている。
請求項（抜粋）：
Si半導体基板の表面を選択的に陽極化成処理して形成され紫外線を受光するとホトルミネッセンスにより発光する多孔質Si領域と、この多孔質Si領域を囲んで前記半導体基板に形成された光電変換素子とを有することを特徴とする紫外線検知装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/00 A
, H01L 27/14 K
