特許

J-GLOBAL ID：200903079764916469

半導体装置及びその電極形成方法

発明者： 納田 文男 ,  真嶋 宗位
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-205711
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053437
出願日： 1992年07月31日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置を形成するPt電極と誘電体層等の各層間密着強度及び接合強度の向上を図った半導体装置およびその電極形成方法の提供。【構成】 誘電体層の両面を挟持するPt電極が基板に固定された半導体装置において、前記Pt電極が、Ptを主成分として不可避不純物のPdを6wt・ppm以下含有されているスパッタリングターゲットをスパッタすることにより形成され、該Pt電極中の不可避不純物であるPdの含有量が6wt・ppm以下に制御されていることを特徴とする。【効果】 信頼性の良好な半導体装置の形成及びその歩留まりの向上を図る。

請求項（抜粋）：

誘電体層の両面を挟持するPt電極が基板に固定された半導体装置において、前記Pt電極が、Ptを主成分として不可避不純物のPdを6wt・ppm以下含有されているスパッタリングターゲットをスパッタすることにより形成され、該Pt電極中の不可避不純物であるPdの含有量が6wt・ppm以下に制御されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 強誘電体コンデンサ及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-099773   出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション