特許
J-GLOBAL ID:200903079785542143
エレクトロルミネッセント素子形成用基板
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
山下 昭彦
, 岸本 達人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-211986
公開番号(公開出願番号):特開2004-055367
出願日: 2002年07月22日
公開日(公表日): 2004年02月19日
要約:
【課題】本発明は、保管安定性に優れ、長距離輸送にも耐えうる輸送耐性を保持するEL素子形成用基板を提供することを主目的とするものである。【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は、基板と、前記基板上にパターン状に形成された第1電極層と、前記第1電極層上に形成された発光部と、前記発光部の表面を覆うように形成された保護層とを有することを特徴とするEL素子形成用基板を提供する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板と、前記基板上にパターン状に形成された第1電極層と、前記第1電極層上に形成された発光部と、前記発光部の表面を覆うように形成された保護層とを有することを特徴とするエレクトロルミネッセント素子形成用基板。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (5件):
3K007AB11
, 3K007AB12
, 3K007AB13
, 3K007AB18
, 3K007DB03
引用特許:
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