特許
J-GLOBAL ID:200903037667281640
エレクトロルミネッセント素子の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山下 昭彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-156787
公開番号(公開出願番号):特開2002-170673
出願日: 2001年05月25日
公開日(公表日): 2002年06月14日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、発光効率や取り出し効率の高さ、製造工程の簡便さや高精細なパターンの形成を実現するEL素子の製造方法を提供することを主目的とするものである。【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は、EL素子を構成する少なくとも1層の有機EL層を、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることを特徴とするEL素子の製造方法を提供する。
請求項(抜粋):
エレクトロルミネッセント素子を構成する少なくとも1層の有機エレクトロルミネッセント層を、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることを特徴とするエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
IPC (4件):
H05B 33/10
, H05B 33/12
, H05B 33/14
, H05B 33/22
FI (4件):
H05B 33/10
, H05B 33/12 B
, H05B 33/14 A
, H05B 33/22 Z
Fターム (11件):
3K007AB04
, 3K007AB11
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EA00
, 3K007EB00
, 3K007FA01
引用特許:
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