薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-240303
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068518
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】プラスチック基板などの耐熱温度の低い絶縁基板上に特性の良好なトップゲート構造の薄膜トランジスタを製造することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】プラスチック基板11上にバッファ層12を介して多結晶Si膜15を形成した後、その上にSi膜からなるゲート電極18を形成する。ゲート電極18をマスクとして多結晶Si膜15中に不純物を導入することによりソース領域19およびドレイン領域20を形成する。ゲート電極18の上側からエキシマーレーザによる紫外のパルスレーザビーム21を照射し、ゲート電極18を局部的に加熱してゲート絶縁膜16を熱処理すると同時に、ゲート電極18、ソース領域19およびドレイン領域20中の不純物を電気的に活性化する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に活性層となる半導体薄膜およびゲート絶縁膜を順次形成する工程と、上記ゲート絶縁膜上に加熱部材を形成する工程と、上記加熱部材の上側から、上記加熱部材でエネルギーが吸収されるエネルギービームを照射する工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 617 J , H01L 21/20 , H01L 21/265 602 C , H01L 29/78 627 G

Fターム (9件)：

5F052AA02 , 5F052BB07 , 5F052CA09 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052EA16 , 5F052FA19 , 5F052JA01

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