光照射コバルトドープ二酸化チタン膜

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：重信和男 , 清水英雄 , 高木祐一 , 中野佳直
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-228302
公開番号（公開出願番号）：特開2008-050208
出願日： 2006年08月24日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：

【課題】本発明の目的は、光照射により、電気・磁気・光学的性質を自在に制御することができるコバルトドープ二酸化チタン膜を提供することである。【解決手段】光を照射することで電気・磁気・光学的性質が変化することを特徴とする光照射コバルトドープ二酸化チタン膜で、また、アルミナ、シリカ、酸化バナジウム(VO2、V2O5)、及び酸化銅(CuO、Cu2O)のうち、少なくとも一種類から構成されるキャップ層を有する光照射コバルトドープ二酸化チタン膜である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光を照射することで電気・磁気・光学的性質が変化することを特徴とする光照射コバルトドープ二酸化チタン膜。

IPC (4件)：

C01G 23/04 , B32B 7/02 , B32B 9/00 , B32B 15/04

FI (5件)：

C01G23/04 C , B32B7/02 103 , B32B7/02 104 , B32B9/00 A , B32B15/04 Z

Fターム (41件)：

4F100AA17B , 4F100AA19B , 4F100AA20B , 4F100AA21 , 4F100AA21A , 4F100AB15A , 4F100AL05A , 4F100AR00A , 4F100AS00B , 4F100AT00C , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10B , 4F100BA10C , 4F100EJ42 , 4F100EJ422 , 4F100EJ58 , 4F100EJ582 , 4F100EJ59 , 4F100EJ592 , 4F100GB41 , 4F100GB90 , 4F100JG01A , 4F100JG06A , 4F100JM01A , 4F100JM02A , 4F100JN30A , 4G047CA02 , 4G047CB09 , 4G047CC03 , 4K029AA07 , 4K029AA24 , 4K029BA43 , 4K029BA48 , 4K029BB02 , 4K029BC03 , 4K029BC06 , 4K029BC08 , 4K029CA02 , 4K029DB20 , 4K029GA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

混晶化二酸化チタン、多層膜構造体、及び素子構造
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-046540 出願人：国立大学法人東北大学

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